然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延晶圆还可以在各自的基板 (通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长，温度为1000至1200℃，还不到SiC的一半。此外，SiC晶圆也比Si晶圆薄近50% ...

2025 年了，GAN 能否击败扩散模型？答案是 Yes！ 本周五，AI 社区开始讨论一种全新极简主义 GAN（生成对抗网络）。 现代版 GAN 基准论文成为了周五 ...

LAS VEGAS - 北美B2B互联网博彩解决方案和国际B2C体育博彩的知名供应商GAN Limited (NASDAQ: GAN)宣布，已与SEGA SAMMY HOLDINGS旗下的SEGA SAMMY CREATION ...

2025-01-11 12:25发布于北京新智元官方账号 此前曾掀起AI圈巨大风暴的GAN，后来却逐渐沉寂了，甚至有人发出了「GAN已死」的论调。 2022年，「GAN已经 ...

2024年6月6日，美国初创公司Diamond Quanta宣布其专有的新型金刚石半导体制造和掺杂技术取得了重大突破。该公司成立于2024年1月，总部位于加利福尼亚。该公司还于去年9月被选中加入Plug and Play著名的半导体和光子加速器计划。

近日，聚灿光电（股票代码：300708）在投资者关系平台上对其产品应用领域进行了重要说明。聚灿光电的主要产品是氮化镓（GaN）基高亮度LED外延片和芯片，广泛应用于照明、背光和显示等领域。尤其在如今智能设备普及的背景下，OLED和LED技术的进步对于各类消费电子产品的影响不容小觑。

英飞凌将氮化镓视为一种改变游戏规则的半导体材料，它将改变我们在消费、移动、住宅太阳能、电信和 AI 数据中心行业实现能源效率和脱碳的方式。半导体材料可实现高效的系统性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。虽然 USB-C 充电器和适配器一直是先行者，但氮化镓现在正处于其他行业采用的转折点，极大地推动了基于 GaN 的功率半导体市场。

1月15日，据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。 据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大阪大学和电装合作，参与了日本环境省自 2022 年以来实施的项目“加速实现创新 CO₂ 减排材料的社会实施和传播项目”。新开发的高压三电平逆变器是该项目努力的结果。 图1 ：电装 ...

这款AC30S GaN 电能闪充手机充电器是酷态科的最新产品。原价为39.9元，现在满1件就能打9.5折优惠，实付只需37.905元。该充电器采用芯片级AI智能温控系统，能在每秒10次温度监测中发现异常情况，并在0.1秒内做出温控反应。其采用的高能氮化镓技术使得充电更快且寿命更长，同时还能折叠插脚设计，便于携带。此外，它还支持苹果官方PD快充协议、PD3.0/QC3.0/SCP/Mi ...

GAN Ltd（纽约证券交易所代码：GAN）是一家注册在百慕大的公司，专门从事计算机编程和数据处理服务，市值为8500万美元，毛利率高达71%。该公司收到了纳斯达克证券交易所有限责任公司的通知，指出其违反了纳斯达克的上市规则。这份日期为2025年1月14日的通知表明，GAN Ltd未能在公司财年结束后的十二个月内召开年度股东大会。

AI生成图像的背后，有一项非常重要的技术GAN。

IT之家 8 月 22 日消息，魅族 PANDAER 67W GaN 小电站潮充现已发布，该款充电器采用 1C+1A 双口设计，顶部配有功率指示灯，售价 139 元。 据介绍 ...